Módulo IGBT, MID75-12A3, N-Canal, 90 A, 1200 V, Y4 M5, 7-Pines Simple

Código de producto RS: 193-521Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: MID75-12A3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

90 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

Y4 M5

Configuración

Single

Tipo de Montaje

Panel Mount

Tipo de Canal

N

Número de pines

7

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

94 x 34 x 30mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Módulos IGBT, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Módulo IGBT, MID75-12A3, N-Canal, 90 A, 1200 V, Y4 M5, 7-Pines Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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±20V

Tipo de Encapsulado

Y4 M5

Configuración

Single

Tipo de Montaje

Panel Mount

Tipo de Canal

N

Número de pines

7

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

94 x 34 x 30mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

–40 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

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Módulos IGBT, IXYS

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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