Módulo IGBT, MID200-12A4, N-Canal, 270 A, 1200 V, Y3 DCB, 5-Pines Simple

Código de producto RS: 194-394Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: MID200-12A4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

270 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

Y3 DCB

Configuración

Single

Tipo de Montaje

Panel Mount

Tipo de canal

N

Conteo de Pines

5

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

110 x 62 x 30mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 C

Datos del producto

Módulos IGBT, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 175.849

$ 175.849 Each (Sin IVA)

$ 209.260

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Tipo de Encapsulado

Y3 DCB

Configuración

Single

Tipo de Montaje

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Tipo de canal

N

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5

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Single

Dimensiones

110 x 62 x 30mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 C

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Módulos IGBT, IXYS

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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