Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSCorriente Máxima Continua del Colector
160 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
Y4 M5
Configuration
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
94 x 34 x 30mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Datos del producto
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 88.054
Each (Sin IVA)
$ 104.784
Each (IVA Incluido)
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 4 | $ 88.054 |
5 - 9 | $ 81.714 |
10 - 19 | $ 79.595 |
20 - 49 | $ 77.477 |
50+ | $ 75.636 |
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Especificaciones
Brand
IXYSCorriente Máxima Continua del Colector
160 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
Y4 M5
Configuration
Single
Tipo de montaje
Panel Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
94 x 34 x 30mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Datos del producto
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.