IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 168-4412Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXGH30N120B3D1
brand-logo
Ver todo en IGBTs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

$ 397.080

$ 13.236 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 472.525

$ 15.750,84 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 397.080
60$ 794.160
90$ 1.191.240
120$ 1.588.320
150$ 1.985.400
180$ 2.382.480
210$ 2.779.560
240$ 3.176.640
270$ 3.573.720
300$ 3.970.800
330$ 4.367.880
360$ 4.764.960
390$ 5.162.040
420$ 5.559.120
450$ 5.956.200

$ 397.080

$ 13.236 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 472.525

$ 15.750,84 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)

IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

Volver a intentar más tarde

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 397.080
60$ 794.160
90$ 1.191.240
120$ 1.588.320
150$ 1.985.400
180$ 2.382.480
210$ 2.779.560
240$ 3.176.640
270$ 3.573.720
300$ 3.970.800
330$ 4.367.880
360$ 4.764.960
390$ 5.162.040
420$ 5.559.120
450$ 5.956.200

Volver a intentar más tarde

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más