IGBT, IXGH30N120B3D1, 50 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 192-641Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXGH30N120B3D1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Discretos IGBT, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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4$ 57.584
5$ 71.980
6$ 86.376
7$ 100.772
8$ 115.168
9$ 129.564
10$ 125.370
11$ 137.907
12$ 150.444
13$ 162.981
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3

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Single

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