MOSFET IXYS IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple

Código de producto RS: 194-130Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFN82N60P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

72 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

75 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

1.04 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

38.2mm

Ancho

25.07mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

240 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.6mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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$ 48.301

Each (Sin IVA)

$ 57.478

Each (IVA Incluido)

MOSFET IXYS IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 48.301
2$ 93.708
3$ 140.562
4$ 187.416
5$ 229.450
6$ 275.340
7$ 321.230
8$ 367.120
9$ 413.010
10$ 458.900
11$ 504.790
12$ 550.680
13$ 596.570
14$ 642.460
15$ 688.350

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Serie

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4

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75 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

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5V

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1.04 kW

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Temperatura máxima de funcionamiento

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Longitud

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Si

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