MOSFET IXYS IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Serie
HiperFET, Polar
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1.04 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
38.2mm
Profundidad
25.07mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
240 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.6mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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$ 48.301
Each (Sin IVA)
$ 57.478
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4
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1.04 kW
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Single
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
38.2mm
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25.07mm
Material del transistor
Si
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1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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