MOSFET IXYS IXFN210N30P3, VDSS 300 V, ID 192 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 177-5342Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFN210N30P3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

192 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

300 V

Series

HiperFET, Polar3

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Tipo de Montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

1,5 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

25.07mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

38.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

268 nC @ 10 V

Altura

9.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™

Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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$ 52.108

Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)

$ 62.008,52

Each (In a Tube of 10) (IVA Inc.)

MOSFET IXYS IXFN210N30P3, VDSS 300 V, ID 192 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 521.080
20$ 1.042.160
30$ 1.563.240
40$ 2.084.320
50$ 2.605.400
60$ 3.126.480
70$ 3.647.560
80$ 4.168.640
90$ 4.689.720
100$ 5.210.800
110$ 5.731.880
120$ 6.252.960
130$ 6.774.040
140$ 7.295.120
150$ 7.816.200

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70$ 3.647.560
80$ 4.168.640
90$ 4.689.720
100$ 5.210.800
110$ 5.731.880
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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

SOT-227

Tipo de Montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

1,5 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

25.07mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

38.23mm

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Altura

9.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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