MOSFET IXYS IXFH44N50Q3, VDSS 500 V, ID 44 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 146-1731Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH44N50Q3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

140 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

6.5V

Disipación de Potencia Máxima

830 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

93 nC a 10 V

Ancho

5.3mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

16.26mm

País de Origen

United States

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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$ 22.622

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 26.920,18

Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)

MOSFET IXYS IXFH44N50Q3, VDSS 500 V, ID 44 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 678.660
60$ 1.357.320
90$ 2.035.980
120$ 2.714.640
150$ 3.393.300
180$ 4.071.960
210$ 4.750.620
240$ 5.429.280
270$ 6.107.940
300$ 6.786.600
330$ 7.465.260
360$ 8.143.920
390$ 8.822.580
420$ 9.501.240
450$ 10.179.900

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240$ 5.429.280
270$ 6.107.940
300$ 6.786.600
330$ 7.465.260
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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

140 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

6.5V

Disipación de Potencia Máxima

830 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

93 nC a 10 V

Ancho

5.3mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

16.26mm

País de Origen

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MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
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