MOSFET IXYS IXFH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 146-1788Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH34N65X2
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

HiperFET, X2-Class

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

540 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

56 nC a 10 V

Ancho

21.45mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.24mm

Altura

5.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

País de Origen

United States

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2

El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura.

Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador rápido intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 9.006

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 10.717,14

Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)

MOSFET IXYS IXFH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 270.180
60$ 540.360
90$ 810.540
120$ 1.080.720
150$ 1.350.900
180$ 1.621.080
210$ 1.891.260
240$ 2.161.440
270$ 2.431.620
300$ 2.701.800
330$ 2.971.980
360$ 3.242.160
390$ 3.512.340
420$ 3.782.520
450$ 4.052.700

$ 9.006

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 10.717,14

Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)

MOSFET IXYS IXFH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 270.180
60$ 540.360
90$ 810.540
120$ 1.080.720
150$ 1.350.900
180$ 1.621.080
210$ 1.891.260
240$ 2.161.440
270$ 2.431.620
300$ 2.701.800
330$ 2.971.980
360$ 3.242.160
390$ 3.512.340
420$ 3.782.520
450$ 4.052.700

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

HiperFET, X2-Class

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

540 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

56 nC a 10 V

Ancho

21.45mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.24mm

Altura

5.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

País de Origen

United States

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2

El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura.

Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador rápido intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more