MOSFET IXYS IXFH34N50P3, VDSS 500 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 146-1742Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH34N50P3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

175 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

695 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

5.3mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Altura

21.46mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

United States

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™

Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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$ 9.647

Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

$ 11.479,93

Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)

MOSFET IXYS IXFH34N50P3, VDSS 500 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 289.410
60$ 578.820
90$ 868.230
120$ 1.157.640
150$ 1.447.050
180$ 1.736.460
210$ 2.025.870
240$ 2.315.280
270$ 2.604.690
300$ 2.894.100
330$ 3.183.510
360$ 3.472.920
390$ 3.762.330
420$ 4.051.740
450$ 4.341.150

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270$ 2.604.690
300$ 2.894.100
330$ 3.183.510
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N

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Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

175 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

695 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

5.3mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.26mm

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60 nC a 10 V

Altura

21.46mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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