MOSFET IXYS IXFB90N85X, VDSS 850 V, ID 90 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 146-4383Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFB90N85X
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

850 V

Serie

HiperFET

Tipo de Encapsulado

PLUS264

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

1,79 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5.31mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

20.29mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

340 @ 10 V nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

26.59mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

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Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

850 V

Serie

HiperFET

Tipo de Encapsulado

PLUS264

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

41 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

1,79 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5.31mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

20.29mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

340 @ 10 V nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

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