MOSFET IXYS IXFB210N30P3, VDSS 300 V, ID 210 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Series
HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1,89 kW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
20.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
268 nC @ 10 V
Ancho
5.31mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
26.59mm
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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$ 34.434
Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
$ 40.976,46
Each (In a Tube of 25) (IVA Inc.)
25
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N
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Tipo de Encapsulado
PLUS264
Tipo de Montaje
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3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
1,89 kW
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Single
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±20 V
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1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
20.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
268 nC @ 10 V
Ancho
5.31mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
26.59mm
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™
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