MOSFET IXYS IXFB150N65X2, VDSS 650 V, ID 150 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 146-4401Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFB150N65X2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

150 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PLUS264

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

17 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

1,56 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

5.31mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

20.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

355 NC a 10 V NC

Altura

26.59mm

Serie

HiperFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

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P.O.A.

MOSFET IXYS IXFB150N65X2, VDSS 650 V, ID 150 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

150 A

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Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

17 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

1,56 kW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

5.31mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

20.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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