Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
2 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 a 10 V nC
Ancho
10.92mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.41mm
Altura
4.7mm
Serie
HiperFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
850 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
2 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7 a 10 V nC
Ancho
10.92mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.41mm
Altura
4.7mm
Serie
HiperFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V