Transistor MOSFET International Rectifier IRLIZ24N, VDSS 55 V, ID 14 A, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
26 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Largo
10.75mm
Profundidad
4.83mm
Serie
HEXFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.8mm
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
60 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
26 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Largo
10.75mm
Profundidad
4.83mm
Serie
HEXFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.8mm