MOSFET Infineon SPW20N60S5FKSA1, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
CoolMOS S5
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
208000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
79 nC a 10 V
Altura
20.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
United Kingdom
Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia CoolMOS™ S5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 7.230
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 8.603,70
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30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 7.230 | $ 216.900 |
| 60 - 120 | $ 6.941 | $ 208.230 |
| 150+ | $ 6.725 | $ 201.750 |
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
208000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.3mm
Número de Elementos por Chip
1
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Material del transistor
Si
Largo
15.9mm
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Altura
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