MOSFET Infineon SPP11N60C3HKSA1, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
10.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
8.64mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Altura
4.4mm
Serie
CoolMOS C3
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Germany
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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P.O.A.
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
10.26mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
8.64mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Altura
4.4mm
Serie
CoolMOS C3
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Germany
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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
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