MOSFET Infineon SPD30P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 898-6864Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPD30P06PGBTMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

SIPMOS®

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

75 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

6.22mm

Material del transistor

Si

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

32 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Tensión de diodo directa

1.7V

Altura

2.41mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 18.270

$ 1.827 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 21.741

$ 2.174,13 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

MOSFET Infineon SPD30P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 18.270
20$ 36.540
30$ 54.810
40$ 73.080
50$ 86.650
60$ 103.980
70$ 121.310
80$ 138.640
90$ 155.970
100$ 173.300
110$ 190.630
120$ 207.960
130$ 225.290
140$ 242.620
150$ 259.950

$ 18.270

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10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 18.270
20$ 36.540
30$ 54.810
40$ 73.080
50$ 86.650
60$ 103.980
70$ 121.310
80$ 138.640
90$ 155.970
100$ 173.300
110$ 190.630
120$ 207.960
130$ 225.290
140$ 242.620
150$ 259.950

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 1.827$ 18.270
50 - 240$ 1.733$ 17.330
250 - 490$ 1.438$ 14.380
500 - 1240$ 1.257$ 12.570
1250+$ 1.002$ 10.020

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P

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Número de pines

3

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75 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

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-20 V, +20 V

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1

Anchura

6.22mm

Material del transistor

Si

Longitud

6.73mm

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32 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Tensión de diodo directa

1.7V

Altura

2.41mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

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