MOSFET Infineon SPD09P06PLGBTMA1, VDSS 60 V, ID 9,7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 826-9074Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPD09P06PLGBTMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

SIPMOS®

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

42 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

6.22mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

2.41mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 45.450

$ 909 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 54.086

$ 1.081,71 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)

MOSFET Infineon SPD09P06PLGBTMA1, VDSS 60 V, ID 9,7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 45.450
100$ 90.900
150$ 136.350
200$ 181.800
250$ 145.750
300$ 174.900
350$ 204.050
400$ 233.200
450$ 262.350
500$ 291.500
550$ 320.650
600$ 349.800
650$ 378.950
700$ 408.100
750$ 437.250

$ 45.450

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50

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50$ 45.450
100$ 90.900
150$ 136.350
200$ 181.800
250$ 145.750
300$ 174.900
350$ 204.050
400$ 233.200
450$ 262.350
500$ 291.500
550$ 320.650
600$ 349.800
650$ 378.950
700$ 408.100
750$ 437.250

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
50 - 200$ 909$ 45.450
250 - 950$ 583$ 29.150
1000 - 2450$ 463$ 23.150
2500+$ 403$ 20.150

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Tipo de Montaje

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Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

42 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

6.22mm

Material del transistor

Si

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1

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

2.41mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

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