IGBT, SGW30N60FKSA1, N-Canal, 41 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
41 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.9 x 5.3 x 20.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
Transistores IGBT discretos Infineon
Los transistores IGBT discretos de Infineon ofrecen diversas tecnologías como NPT, Trenchstop™ y Fieldstop. Se pueden utilizar en muchas aplicaciones que pueden requerir conmutación dura o blanda incluidas aplicaciones industriales, SAI, inversores, electrodomésticos y cocinas de inducción. Algunos dispositivos incluyen un diodo antiparalelo o un diodo de integración monolítica.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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P.O.A.
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
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Single
Dimensiones del Cuerpo
15.9 x 5.3 x 20.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
Transistores IGBT discretos Infineon
Los transistores IGBT discretos de Infineon ofrecen diversas tecnologías como NPT, Trenchstop™ y Fieldstop. Se pueden utilizar en muchas aplicaciones que pueden requerir conmutación dura o blanda incluidas aplicaciones industriales, SAI, inversores, electrodomésticos y cocinas de inducción. Algunos dispositivos incluyen un diodo antiparalelo o un diodo de integración monolítica.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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