Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
128Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
56
Organización
8M x 16 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Largo
14.1mm
Altura
1.05mm
Profundidad
18.5mm
Dimensiones
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Series
S29GL
Número de Palabras
8M
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
90ns
País de Origen
United States
Datos del producto
Memoria Flash, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
P.O.A.
Empaque de Producción (Bandeja)
1
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Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
128Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
56
Organización
8M x 16 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Largo
14.1mm
Altura
1.05mm
Profundidad
18.5mm
Dimensiones
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Series
S29GL
Número de Palabras
8M
Temperatura Mínima de Operación
–40 °C
Número de Bits de Palabra
16bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
90ns
País de Origen
United States
Datos del producto
Memoria Flash, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.


