MOSFET Photo Relay SPNO 20V 4/6A DIP6SMT
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente de entrada máxima
25 mA
Tensión de Aislamiento
4kVrms
Tiempo de Subida
3ms
Conteo de Pines
6
Estilo de Montaje
Surface
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85°C
Longitud
8.63mm
Profundidad
6.47mm
Profundidad
3.42mm
Serie
PVN
Dimensiones del Cuerpo
8.63 x 6.47 x 3.42 mm
Rango de Temperaturas de Funcionamiento
-40 → +85 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Salida de transistor FET y MOSFET, Infineon
La serie PDV13 de Infineon consiste en recambios monopolares de estado sólido, normalmente abiertos, para sustituir los relés electromecánicos que se utilizan para la conmutación de señales analógicas de uso general. Utiliza el MOSFET de potencia HEXFET de Infineon como el conmutador de salida, accionado por un novedoso generador fotovoltaico de circuito integrado.
Funcionamiento sin rebotes
Resistencia desactivada de 1.010 ohmios
1.000 V/μsec dv/dt
Sensibilidad en entrada de 5 mA
Aislamiento de E/S 4.000 Vrms
Fiabilidad de estado sólido
Optocouplers, International Rectifier
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente de entrada máxima
25 mA
Tensión de Aislamiento
4kVrms
Tiempo de Subida
3ms
Conteo de Pines
6
Estilo de Montaje
Surface
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85°C
Longitud
8.63mm
Profundidad
6.47mm
Profundidad
3.42mm
Serie
PVN
Dimensiones del Cuerpo
8.63 x 6.47 x 3.42 mm
Rango de Temperaturas de Funcionamiento
-40 → +85 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Salida de transistor FET y MOSFET, Infineon
La serie PDV13 de Infineon consiste en recambios monopolares de estado sólido, normalmente abiertos, para sustituir los relés electromecánicos que se utilizan para la conmutación de señales analógicas de uso general. Utiliza el MOSFET de potencia HEXFET de Infineon como el conmutador de salida, accionado por un novedoso generador fotovoltaico de circuito integrado.
Funcionamiento sin rebotes
Resistencia desactivada de 1.010 ohmios
1.000 V/μsec dv/dt
Sensibilidad en entrada de 5 mA
Aislamiento de E/S 4.000 Vrms
Fiabilidad de estado sólido