Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de montaje
Through Hole
Dispositivo de Salida
Controlador de puerta IGBT, MOSFET
Tensión Directa Máxima
8V
Number of Channels
2
Number of Pins
8
Encapsulado
DIP
Tipo de Corriente de Entrada
DC
Typical Rise Time
90 μs, 160 μs, 300 μs
Corriente de entrada máxima
50 mA dc
Tensión de Aislamiento
2.500 Vrms
Tiempo de Bajada Típico
220µs
Datos del producto
Salida de transistor FET y MOSFET, Infineon
La serie PDV13 de Infineon consiste en recambios monopolares de estado sólido, normalmente abiertos, para sustituir los relés electromecánicos que se utilizan para la conmutación de señales analógicas de uso general. Utiliza el MOSFET de potencia HEXFET de Infineon como el conmutador de salida, accionado por un novedoso generador fotovoltaico de circuito integrado.
Funcionamiento sin rebotes
Resistencia desactivada de 1.010 ohmios
1.000 V/μsec dv/dt
Sensibilidad en entrada de 5 mA
Aislamiento de E/S 4.000 Vrms
Fiabilidad de estado sólido
Optocouplers, International Rectifier
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P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de montaje
Through Hole
Dispositivo de Salida
Controlador de puerta IGBT, MOSFET
Tensión Directa Máxima
8V
Number of Channels
2
Number of Pins
8
Encapsulado
DIP
Tipo de Corriente de Entrada
DC
Typical Rise Time
90 μs, 160 μs, 300 μs
Corriente de entrada máxima
50 mA dc
Tensión de Aislamiento
2.500 Vrms
Tiempo de Bajada Típico
220µs
Datos del producto
Salida de transistor FET y MOSFET, Infineon
La serie PDV13 de Infineon consiste en recambios monopolares de estado sólido, normalmente abiertos, para sustituir los relés electromecánicos que se utilizan para la conmutación de señales analógicas de uso general. Utiliza el MOSFET de potencia HEXFET de Infineon como el conmutador de salida, accionado por un novedoso generador fotovoltaico de circuito integrado.
Funcionamiento sin rebotes
Resistencia desactivada de 1.010 ohmios
1.000 V/μsec dv/dt
Sensibilidad en entrada de 5 mA
Aislamiento de E/S 4.000 Vrms
Fiabilidad de estado sólido