MOSFET Infineon IRLU8743PBF, VDSS 30 V, ID 160 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
160 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.35V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
135000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
39 nC a 4,5 V
Profundidad
2.39mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 7.370
$ 1.474 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 8.770
$ 1.754,06 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | $ 1.474 | $ 7.370 |
| 50 - 120 | $ 1.329 | $ 6.645 |
| 125 - 245 | $ 1.238 | $ 6.190 |
| 250 - 495 | $ 1.150 | $ 5.750 |
| 500+ | $ 1.062 | $ 5.310 |
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N
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Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 mΩ
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.35V
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1.35V
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Profundidad
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Si
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1
Longitud
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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