MOSFET Infineon IRLTS2242TRPBF, VDSS 20 V, ID 6,9 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
6.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Ancho
1.75mm
Material del transistor
Si
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.3mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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| 750 - 1470 | $ 259 | $ 7.770 |
| 1500 - 2970 | $ 222 | $ 6.660 |
| 3000+ | $ 191 | $ 5.730 |
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P
Maximum Continuous Drain Current
6.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Ancho
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Material del transistor
Si
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Altura
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