MOSFET Infineon IRLR120NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
185 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 5 V
Altura
2.39mm
Serie
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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P.O.A.
75
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N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
185 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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