MOSFET Infineon IRLML6401TRPBF, VDSS 12 V, ID 4.3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 301-316PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRLML6401TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.95V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.02mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IRLML6401TRPBF, VDSS 12 V, ID 4.3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

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P

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4.3 A

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12 V

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HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.95V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.02mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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