MOSFET Infineon IRLML6246TRPBF, VDSS 20 V, ID 4,1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
HEXFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
66 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,5 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 7.160
$ 358 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 8.520
$ 426,02 Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)
Estándar
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | $ 358 | $ 7.160 |
| 200 - 480 | $ 340 | $ 6.800 |
| 500 - 980 | $ 214 | $ 4.280 |
| 1000 - 1980 | $ 180 | $ 3.600 |
| 2000+ | $ 162 | $ 3.240 |
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N
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4.1 A
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Series
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Tipo de montaje
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3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
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±12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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Si
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1
Longitud
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Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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