MOSFET Infineon IRL60SL216 , VDSS 60 V, ID 298 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
298 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
I2PAK (TO-262)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
170 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Altura
11.3mm
Serie
StrongIRFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de nivel lógico StrongIRFET™, Infineon
Una adición a la familia Infineon StrongIRFET optimizada para el controlador de puerta de nivel lógico de +5 V. Comparten las mismas características que la familia StrongIRFET existente, como baja RDS(on) para una mayor eficiencia y capacidad de transporte de alta corriente para mejorar la robustez y la fiabilidad operativa.
Óptimo ajuste RDS(on) a VGS = +4,5 V
Indicado para sistemas alimentados por batería
Aplicaciones: controladores de motor, sistemas de rectificador síncrono, interruptores de alimentación redundante y OR-ing, convertidores DC-DC
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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N
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298 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
I2PAK (TO-262)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
170 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Altura
11.3mm
Serie
StrongIRFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia de nivel lógico StrongIRFET™, Infineon
Una adición a la familia Infineon StrongIRFET optimizada para el controlador de puerta de nivel lógico de +5 V. Comparten las mismas características que la familia StrongIRFET existente, como baja RDS(on) para una mayor eficiencia y capacidad de transporte de alta corriente para mejorar la robustez y la fiabilidad operativa.
Óptimo ajuste RDS(on) a VGS = +4,5 V
Indicado para sistemas alimentados por batería
Aplicaciones: controladores de motor, sistemas de rectificador síncrono, interruptores de alimentación redundante y OR-ing, convertidores DC-DC
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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