IGBT, IRG4IBC10UDPBF, N-Canal, 6,8 A, 600 V, TO-220AB, 3-Pines, 8 → 30kHz Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
6,8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
8 → 30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.75 x 4.83 x 16.13mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Mexico
Datos del producto
IGBT de empaquetado conjunto hasta 20 A, Infineon
Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus aplicaciones están cubiertas. Las calificaciones de alta eficiencia hacen que esta gama de IGBT pueda usarse en una amplia variedad de aplicaciones y admitir varias frecuencias de conmutación gracias a las bajas pérdidas de conmutación.
IGBT empaquetado conjuntamente con diodo de recuperación ultrarrápido en antiparalelo para utilizar en configuraciones en puente
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
5
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6,8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
8 → 30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
10.75 x 4.83 x 16.13mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Mexico
Datos del producto
IGBT de empaquetado conjunto hasta 20 A, Infineon
Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus aplicaciones están cubiertas. Las calificaciones de alta eficiencia hacen que esta gama de IGBT pueda usarse en una amplia variedad de aplicaciones y admitir varias frecuencias de conmutación gracias a las bajas pérdidas de conmutación.
IGBT empaquetado conjuntamente con diodo de recuperación ultrarrápido en antiparalelo para utilizar en configuraciones en puente
IGBT Transistors, International Rectifier
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