Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
205 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.39mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
6.22mm
País de Origen
Mexico
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.014
Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
$ 1.206,66
Each (In a Tube of 75) (IVA Incluido)
75
$ 1.014
Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
$ 1.206,66
Each (In a Tube of 75) (IVA Incluido)
75
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
75 - 75 | $ 1.014 | $ 76.050 |
150 - 300 | $ 963 | $ 72.225 |
375 - 675 | $ 866 | $ 64.950 |
750+ | $ 862 | $ 64.650 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
205 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.39mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
6.22mm
País de Origen
Mexico