MOSFET Infineon IRFTS9342TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,8 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
66 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Profundidad
1.75mm
Material del transistor
Si
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.3mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
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| 500 - 2450 | $ 365 | $ 18.250 |
| 2500 - 4950 | $ 356 | $ 17.800 |
| 5000 - 12450 | $ 349 | $ 17.450 |
| 12500+ | $ 339 | $ 16.950 |
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P
Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
66 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Profundidad
1.75mm
Material del transistor
Si
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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