MOSFET Infineon IRFP7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 820-8855PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFP7530PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

195 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Series

StrongIRFET

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

341 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

274 nC a 10 V

Ancho

5.31mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

20.7mm

Datos del producto

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

MOSFET Infineon IRFP7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
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Tipo de Montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

341 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Ancho

5.31mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

20.7mm

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MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

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