MOSFET Infineon IRFP150NPBF, VDSS 100 V, ID 42 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
36 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
15.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Ancho
5.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.3mm
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
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| 50 - 100 | $ 2.098 | $ 52.450 |
| 125 - 225 | $ 2.032 | $ 50.800 |
| 250+ | $ 1.946 | $ 48.650 |
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N
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Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
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3
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36 mΩ
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Mejora
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Longitud
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Si
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