MOSFET Infineon IRFI530NPBF, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Altura
9.8mm
Serie
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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$ 1.733
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.062,27
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| 100 - 200 | $ 1.647 | $ 82.350 |
| 250 - 450 | $ 1.481 | $ 74.050 |
| 500+ | $ 1.473 | $ 73.650 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
41 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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