Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.1mm
Profundidad
2.1mm
Material del transistor
Si
Serie
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.95mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 245
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 291,55
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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10
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P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.1mm
Profundidad
2.1mm
Material del transistor
Si
Serie
HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.95mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.