MOSFET Infineon IRFHS9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 6 A, DFN2020 de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 737-7310Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFHS9301TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DFN2020

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.1mm

Profundidad

2.1mm

Material del transistor

Si

Serie

HEXFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

0.95mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 245

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 291,55

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IRFHS9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 6 A, DFN2020 de 7 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 2.450
20$ 4.900
30$ 7.350
40$ 9.800
50$ 12.250
60$ 14.700
70$ 17.150
80$ 19.600
90$ 22.050
100$ 24.500
110$ 26.950
120$ 29.400
130$ 31.850
140$ 34.300
150$ 36.750

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90$ 22.050
100$ 24.500
110$ 26.950
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Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

6 A

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30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DFN2020

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2.1 W

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±20 V

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1

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+150 ºC

Longitud

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Profundidad

2.1mm

Material del transistor

Si

Serie

HEXFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

0.95mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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