MOSFET Infineon IRFB3306PBF, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 124-9003Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFB3306PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

160 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

230000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10.66mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

85 nC a 10 V

Profundidad

4.82mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

9.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 843

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 1.003,17

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

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3

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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230000 mW

Transistor Configuration

Single

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Temperatura máxima de funcionamiento

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Material del transistor

Si

Longitud

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Profundidad

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1

Altura

9.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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