MOSFET Infineon IRFB3206PBF, VDSS 60 V, ID 210 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 124-8962Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFB3206PBF
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

210 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Profundidad

4.83mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

9.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 2.821

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 3.356,99

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IRFB3206PBF, VDSS 60 V, ID 210 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 141.050
100$ 282.100
150$ 423.150
200$ 564.200
250$ 569.750
300$ 683.700
350$ 797.650
400$ 911.600
450$ 1.025.550
500$ 998.500
550$ 1.098.350
600$ 1.198.200
650$ 1.298.050
700$ 1.397.900
750$ 1.497.750

$ 2.821

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 3.356,99

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IRFB3206PBF, VDSS 60 V, ID 210 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 141.050
100$ 282.100
150$ 423.150
200$ 564.200
250$ 569.750
300$ 683.700
350$ 797.650
400$ 911.600
450$ 1.025.550
500$ 998.500
550$ 1.098.350
600$ 1.198.200
650$ 1.298.050
700$ 1.397.900
750$ 1.497.750

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
50 - 200$ 2.821$ 141.050
250 - 450$ 2.279$ 113.950
500+$ 1.997$ 99.850

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

210 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

300000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

120 nC a 10 V

Profundidad

4.83mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

9.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more