MOSFET Infineon IRF9362TRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

Código de producto RS: 130-0970PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF9362TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 nC a 15 V

Altura

1.5mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Montaje superficial

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

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Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 nC a 15 V

Altura

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-55 °C

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