MOSFET Infineon IRF7807ZTRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Infineon IRF7807ZTRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1702263
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 170-2263Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF7807ZTRPBF

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.25V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,2 nC a 4,5 V

Profundidad

4mm

Número de Elementos por Chip

Tensión de diodo directa

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.5mm

Serie

IRF7807ZPbF

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$ 283

Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)

$ 336,77

Each (On a Reel of 4000) (IVA Incluido)

MOSFET Infineon IRF7807ZTRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

4000

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Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.25V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,2 nC a 4,5 V

Profundidad

4mm

Número de Elementos por Chip

Tensión de diodo directa

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.5mm

Serie

IRF7807ZPbF