Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
IRF7805Z
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.25V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 1.191
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 1.417,29
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 1.191 | $ 11.910 |
100 - 490 | $ 906 | $ 9.060 |
500 - 990 | $ 796 | $ 7.960 |
1000 - 1990 | $ 647 | $ 6.470 |
2000+ | $ 586 | $ 5.860 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
IRF7805Z
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.25V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 4,5 V
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V