MOSFET Infineon IRF7749L1TRPBF, VDSS 60 V, ID 375 A, DirectFET ISOMETRIC, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
375 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Serie
DirectFET, HEXFET
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Montaje superficial
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
7.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
9.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
200 nC a 10 V
Altura
0.49mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon
El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.
La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas
Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.
La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad
Perfil bajo de sólo 0,7 mm
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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$ 3.752
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 4.464,88
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4000
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N
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DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Montaje superficial
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
7.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
9.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
200 nC a 10 V
Altura
0.49mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon
El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.
La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas
Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.
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MOSFET Transistors, Infineon
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