MOSFET Infineon IRF7313TRPBF, VDSS 30 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
46 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
1.5mm
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
46 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Altura
1.5mm
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
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