Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Altura
1.5mm
Serie
IRF7205PbF
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
4000
P.O.A.
4000
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Altura
1.5mm
Serie
IRF7205PbF
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V