Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
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$ 2.291
Each (On a Reel of 4800) (Sin IVA)
$ 2.726,29
Each (On a Reel of 4800) (IVA Incluido)
4800
$ 2.291
Each (On a Reel of 4800) (Sin IVA)
$ 2.726,29
Each (On a Reel of 4800) (IVA Incluido)
4800
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Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Serie
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DIRECTFET ISOMÉTRICO
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si