MOSFET Infineon IRF60R217, VDSS 60 V, ID 58 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 123-6145Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF60R217
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

57,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.73mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud:

7.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Altura

2.39mm

Serie

StrongIRFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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N

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.73mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud:

7.49mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Altura

2.39mm

Serie

StrongIRFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

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