Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
2 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.25V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,7 nC a 4,5 V
Altura
4.83mm
Serie
IRF3707ZS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
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P.O.A.
800
P.O.A.
800
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
2 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.25V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,7 nC a 4,5 V
Altura
4.83mm
Serie
IRF3707ZS
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V