Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
2 + Tab
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión de umbral de puerta máxima
2.25V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Altura
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Longitud:
10.67mm
Profundidad
9.65mm
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,7 nC a 4,5 V
Serie
IRF3707ZS
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
12.5 mΩ
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
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P.O.A.
Estándar
10
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10
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Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
2 + Tab
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tensión de diodo directa
1V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión de umbral de puerta mínima
1.35V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión de umbral de puerta máxima
2.25V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Altura
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Longitud:
10.67mm
Profundidad
9.65mm
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,7 nC a 4,5 V
Serie
IRF3707ZS
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
12.5 mΩ
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB